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材料科学与化学工程学院学术报告——Growth of high-quality Si ingots for solar cells using the dendritic cast method and the noncontact crucible method

发布日期:2018-11-05 作者:材料科学与化学工程学院

 报告时间:2018116日下午1:30

报告地点:宁波大学材化学院210会议室

报告人:Kazuo Nakajima

报告人简介:

Kazuo Nakajima教授是国际知名学者,在半导体材料和应用领域取得了国际公认的成就。Kazuo Nakajima教授在30多年的研究中发表了350多篇论文,引用超过了5千多次;完成了近20部著作;拥有近35个授权专利。由于Kazuo Nakajima教授对半导体材料技术的发展和贡献,2011年获得了第五届亚洲晶体生长与晶体技术大会的杰出工程师奖;2014年又获得了日本晶体生长协会的贡献奖。Kazuo Nakajima教授研究的具体内容包括半导体晶体材料、太阳能电池、半导体相图、VISiGe)晶体的塑性变形及在晶体透镜等,这些研究对半导体晶体的生长和应用产生了深远的影响。Kazuo Nakajima教授开发了树枝状铸造法,获得了高质量的多晶硅和高效率的太阳能电池(创造了当时大型太阳能电池的世界最高纪录)。Kazuo Nakajima教授一直活跃在学术的前沿,继树枝状铸造法之后又开发了非接触坩埚(NOC)法来制备高质量的硅大单晶锭,并首次获得了具有与直拉法生长的单晶硅太阳能电池同等转换效率的太阳能电池。

2017年,Kazuo Nakajima教授受邀申请成为了浙江大学包玉刚讲座教授。本次报告,Kazuo Nakajima教授将详细介绍非接触坩埚(NOC)法来制备高质量的硅大单晶锭。

 

报告摘要:

1. Motivation to develop the dendritic cast method

2. Growth and behavior of dendrite crystals using the in-situ observation system

3. Ingot growth controlled by dendrite crystals grown along the bottom of a crucible

4. Control of arrangement of dendrite crystals

5. Generation of dislocations

6. Quality and solar-cell performance of Si ingots using the dendritic cast method

7. Concept of the HP cast method

8. Concept of the mono-like cast method

9. Trigger for the development of the NOC method

10. Growth of Si single ingots using the NOC method

11. Dislocations and O concentrations in Si single ingots grown by the NOC method

12.Performance of p-type solar cells prepared by the NOC method

13. Concept to establish the low-temperature region in a Si melt

 

欢迎广大师生踊跃参加!